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主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中(*1),常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问,内部结构太复杂,很难实现高密度集成,不适合用作大容量内存。除SRAM外,DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成,比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM安装于同一个晶片上较为困难,一般在单芯片单片机中很少使用,基本上都是用作电路。(*1)单芯片单片机是指:将CPU,ROM,RAM,振荡电路,定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微处理器。
中电阻R1和R2的取值必须使当输入为+VCC时的三极管可靠地饱和,即有βIbIes在.21中假设Vcc=5V,Ies=50mA,β=100,则有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K,则R16.63K,为了使三极管有一定的饱和深度和兼顾三极管电流放大倍数的离散性,一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K,当集成电路控制端为+VCC时,应能至少提供1.2mA的驱动电流(流过R1的电流)给本驱动电路,而许多集成电路(标准8051单片机)输出的高电平不能达到这个要求,但它的低电平驱动能力则比较强(标准8051单片机I/O口输出低电平能提供20mA的驱动电流(这里说的是漏电流)),则应该用如.22所示的电路来驱动继电器。
CPU暂停正在执行的程序,调用中断源的中断组织块OB来处理,执行完中断组织块后,返回被中断的程序断点处继续执行原来的程序。有中断事件发生时,如果没有相应的组织块,CPU将会进入STOP模式,即使生成和一个空的组织块,出现相应的中断事件时,CPU也不会进入STOP模式。PLC的中断源可能来自I/O模块的硬件中断,或者来自CPU模块内部的软件中断,时间中断、延时中断、循环中断和编程错误引起的中断。
上式为永久磁铁激磁的步进电机产生的电磁转矩,因此有下面的公式:E0=NdΦ/dtθ=ωtω=Nrωm式中,Φ为交链磁通,θ为转子转动角,ω为电气角速度,N为相线圈匝数。E0=NdΦ/dt由法拉第定律得来。θ=ωt为机械角与电气角的关系式,把上式代入到T=E0I/ωm可得:T=E0I/ωm=N(dΦ/dt)I/ωm=N(dΦ/dθ)(dθ/dt)I/ωm=N(ω/ωm)(dΦ/dθ)I(dΦ/dθ)=NNrI(dΦ/dθ)步进电机的转矩由永磁体产生的交链磁通变化率与流过线圈电流之积产生为感应电动势,图表示如下:将此E0代入T=E0I/ωm,单相转矩变为下式:T1=2NIBLr依据图,永久磁铁激磁的步进电机转矩公式为(T1=2NIBLr),当Nr=1时,转矩公式与直流电机的转矩公式(T=2NIBLr)相同,直流电机的气隙磁通B,相当于步进电机的交链磁通的有效当量部分总和。
合适的就是的,这是选择万用表的要素。你平时只是用万用表测量电路的通断,并且要时常带在身边,那就可以选择一个没有电流测量功能的、携带方便的万用表。再比如你的工作领域对功耗非常敏感,往往要测量uA级别的电流,那你就需要买一个电流测量精度高、能够测量uA级别电流的万用表。目前大家几乎都用数字万用表了,指针式万用表已经很少用了,那么我们就重点说说数字万用表的选择。万用表的基本功能万用表的基本功能是测量电阻、电压、电流。