配套光纤头 反射型
检测
方向
尺寸
形状(mm)
电缆
弯曲
半径
检测距离(mm)
光轴直径
(检
测物体)
型号
智能放大器
(高功能)E3X-NB
HS
标准
直角
M3
同轴
IP67
不易
折断
R4
46
(φ5μm)
E32-ZC31N 2M
M6
同轴
IP67
320
E32-ZC11N 2M
长度
IP67
R1
240
E32-ZD11N 2M
标准
直线
M3
IP67
不易
折断
R1
40
E32-ZD21R 2M
同轴
IP67
R25
100
E32-ZC31 2M
IP67
耐弯
曲R4
40
E32-ZD21 2M
IP67
R25
100
E32-ZD200E 2M
M4
IP67
耐弯
曲R4
90
E32-ZD21B 2M
M6
IP67
240
E32-ZD11 2M
不易
折断
R1
240
E32-ZD11R 2M
同轴
IP67
R25
400
E32-ZC200 2M
长度
IP67
400
E32-ZD200 2M
IP67
520
E32-ZD11L 2M
φ5
-
-
E32-ZC41 2M +
E39-ZF3A-5
-
-
E32-ZC31 2M +
E39-ZF3A-5
小型
尺寸
φ1.5
IP67
耐弯
曲R4
40
(φ5μm)
E32-ZD22B 2M
φ3+
φ0.8
IP67
R4
20
E32-ZD33 2M
※1、检测距离中记载的E3X-NB模式为标准高速HS模式。
※2：检测物体为在标准高速HS模式下，将检测距离和灵敏度设定为状态时的值(代表例)。
※3：反射型的检测距离为使用白色绘画用纸时的值。
对射型
检测
方向
尺寸
形状(mm)
电缆
弯曲
半径
检测距离(mm)
光轴直径
(检
测物体)
型号
智能放大器
(高功能)E3X-NB
HS
标准
直角
M4
IP67
不易
折断
R1
700
φ1
(φ5μm)
E32-ZT11N 2M
标准
直线
M3
IP67
耐弯
曲R4
220
φ0.5
(φ5μm)
E32-ZT21 2M
长度
IP67
R1
150
E32-ZT21R 2M
IP67
R25
250
E32-ZT200E 2M
M4
IP67
不易
折断
R1
700
φ1
(φ5μm)
E32-ZT11R 2M
IP67
耐弯
曲R4
900
E32-ZT11 2M
长度
IP67
R25
1000
E32-ZT200 2M
小型
尺寸
φ1.5
IP67
耐弯
曲R4
220
φ0.5
(φ5μm)
E32-ZT22B 2M
区域
检测
IP67
不易
折断
R1
1120
(φ0.2)*2
E32-ZT16PR 2M
※1、检测距离中记载的E3X-NB模式为标准高速HS模式。
※2：检测物体为在标准高速HS模式下，将检测距离和灵敏度设定为状态时的值(代表例)。
确定型号时的参考信息
型号选定的要点
可以按以下顺序来选定型号。
1. 按与检测物体大小相符的光点直径进行选择
※如果检测物体大小不一致时，选择可变光点型会比较方便。
2. 按可设置的距离与中心距离之间的关系进行选择
由此可见，海洋能的项目储备还是比较丰富的，情况和成本下降将成为影响其发展的主要因素。虽然海洋能的发展前景较好，但目前其发电成本高昂，一些小型海洋能电站在进行一段时间后因为经济性差就停办了或是废弃了。而且海洋能电站的前期勘测设计需要进行大量的研究论证工作，费时较长，导致其产业发展速度较为缓慢。除了需要克服大型设备的安装技术难题以及解决电网基础设施建设问题以外，海洋能发电产业面临的主要挑战是成本问题。目前，市场上变频器安装容量（功率）的长率实际上在20%左右，预计至少在10年以后，变频器市场才能饱和并逐渐成熟。LED产业正在走出产能过剩的问题，2014年将重启设备投资并扩大产能。根据半导体设备与材料组织(SEMI)的季度预测报告，LED晶片制造设备的投资在经历连续下降之后，到明年将上升17%，达到12亿美元。设备投资也将呈现崭新的趋势：LED产业中设备投资的主要力量将是行业者和幸存者，而非新的参与者。